这个进程要求Si上有3d空轨迹，因为C没有d空轨迹（因为没有2d），所以就不能承受氧上的孤对电子，就不能进行水解。

　　除此之外，还要考虑别的一个原因，便是最高配位数。C的最高配位数是4，Si是6，CCl4的C现已到达最高配位数，SiCl4还没有，所以O就不能进攻C能够进攻Si。因而，SF6尽管也有3d空轨迹，但现已到达最高配位数，所以也无法水解。

　　因为C原子的原子半径比Si原子的半径小，其非金属性强（电负性强），所以C原子与Cl原子结合的共价键的极性较弱，是典型的非金属化合物，不简单遭到极性强的H2O影响，不只不会被水电离，而且不溶于水。而Si原子半截较大，非金属性若，Si—Cl键的极性强（留意，因为SiCl4是空间对称的，所以SiCl4分子对错极性的），分子中Si原子带有必定的正电荷，简单遭到极性H2O的招引，使之电离并水解，电离产品Si（4+）与水中OH（-）生成原硅酸沉积，还有HCl看物质是否水解，主要是看水解产品（假定其水解）是否有不溶物或弱电解质，上述的H4SiO4便是不溶物。